مقاومت مغناطیسی تنظیم‌پذیر در پیوندگاه گرافین گاف‌دار تحت کشش در حضور سد مغناطیسی

author

Abstract:

در تحقیق حاضر با اعمال هم‌زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف‌دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می‌دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره‌ای در ساختار گرافین نمی‌شود و این گاف با اعمال سد مغناطیسی در حضور کشش در ساختار گرافین قابل ایجاد و با تغییر مقدار گاف جرمی زیر لایه قابل کنترل و تنظیم است. همچنین نشان داده شده است که مقاومت مغناطیسی پیوندگاه به شدت به پارامترهای کشش اعمالی به گرافین، سد مغناطیسی، پیکربندی بردار مغناطش نواحی فرومغناطیس و گاف جرمی زیر لایه وابسته است به گونه-ای که با انتخاب مقادیر مناسبی برای پارامترهای مذکور، مقاومت مغناطیسی پیوندگاه به 100% می‌رسد. به طور مشخص برای دره K با تغییر پیکربندی از موازی به پادموازی با اعمال مقادیر مذکور، نمودار رسانش پادموازی سریع‌تر نسبت به نمودار رسانش موازی به صفر می‌رسد. در این شرایط پیوندگاه فقط برای پیکربندی رسانش موازی از خود عبور نشان می‌دهد که این امر منجر به بیشینه شدن مقاومت مغناطیسی پیوندگاه می‌شود. تنظیم‌پذیر بودن مقاومت مغناطیسی پیوندگاه نشان دهندۀ کاربرد آن در وسایل اسپین-الکترونیکی بر پایۀ گرافین است.

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

جریان اسپینی در گرافین گافدار تحت کشش تک محوری

اخیراً ساختار الکترونیکی تغییر شکل یافته¬ی شبکه¬ی لانه زنبوری گرافین و بررسی نظری گرافین تحت کشش خیلی مورد توجه قرار گرفته است که به نتایج جالبی می¬انجامد که این نتایج می¬تواند برای بررسی پدیده¬های مربوط به سیستم¬هایی با ساختار گرافین به کار رود با اعمال کشش به صفحه گرافین حامل¬های بار در آن به صورت فرمیون¬های دیراک بدون جرم نامتقارن ظاهر می¬شوند این باعث تغییراتی در سرعت فرمی، تونل¬زنی کلین و ر...

15 صفحه اول

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

full text

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

full text

نوسانات آزاد سیارات شبه زمین در حضور میدان مغناطیسی

  we study the free oscillations of a non-rotating earth-like planet in the presence of a force free magnetic field. The model consists of a solid inner core, a liquid outer core and a solid mantle which is spherically symmetric. The lagrangian displacements are decomposed into scaloidal, poloidal and toroidal components using a gauged version of Helmholtz theorem. These components are identifi...

full text

شبیه‌سازی عددی و بهینه سازی انتقال حرارت نانوساختار مغناطیسی در یک کانال در حضور یک میدان مغناطیسی غیریکنواخت

در مقاله حاضر، تأثیر یک منبع میدان خارجی غیریکنواخت بر انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال مگنتیت (فروسیال) داخل کانالی با سطح گرم، به‌صورت عددی مورد مطالعه قرار گرفته است. هدف اصلی تأکید بر اهمیت موقعیت میدان مغناطیسی و بررسی احتمال افزایش انتقال حرارت از طریق یافتن مکان بهینه منبع میدان مغناطیسی است. مشاهده شد که میدان مغناطیسی گردابه‌هایی ایجاد کرده و بر ضخامت لایه مرزی حرارتی و تغییرات عدد...

full text

بررسی تجربی ویسکوزیته نانو سیال رسانا در حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی

ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی اتیلن گلایکول-  Fe4O3 تحت میدان مغناطیسی ثابت، موازی و در جهت جریان نانوسیال به طور آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد با افزایش شدت میدان مغناطیسی ویسکوزیته نانوسیال کاهش می­یابد. همچنین آزمایشات نشان داد افزایش زمان قرارگیری نانوسیال در معرض میدان مغناطیسی تأثیر کاهش ویسکوزیته نانوسیال را بیشتر میکند

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


Journal title

volume 8  issue 19

pages  58- 70

publication date 2019-02-20

By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023